เว็บไซต์ BGR รายงานเมื่อ 3 พ.ค. 68 ว่า จีนมีความก้าวหน้าครั้งสำคัญในการแข่งขันด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ โดยทีมนักวิจัยจากมหาวิทยาลัยปักกิ่งได้พัฒนาทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีซิลิกอน (silicon-free transistor) โดยใช้วัสดุสองมิติที่เรียกว่าบิสมัท ออกซีซีลีไนด์ (Bismuth Oxyselenide) ซึ่งไม่เพียงแต่มีความบางและยืดหยุ่นมากกว่าซิลิกอน แต่ทำให้อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ได้เร็วและควบคุมกระแสไฟฟ้าได้ดีขึ้น นอกจากนี้การออกแบบทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีซิลิกอนจะใช้ประตู (gate) ห่อหุ้มแหล่งจ่ายไฟรอบด้าน แตกต่างจากการออกแบบดั้งเดิมที่ห่อหุ้มเพียงแค่สามด้าน ส่งผลให้ชิปที่ผลิตจากทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีซิลิกอนสามารถทำงานได้เร็วขึ้นร้อยละ 40 และใช้พลังงานน้อยกว่าร้อยละ 10 เมื่อเทียบกับชิปซิลิกอนที่ผลิตโดยบริษัทอินเทล บริษัทผลิตเซมิคอนดักเตอร์ของสหรัฐฯ
อย่างไรก็ตามทรานซิสเตอร์ที่ไม่มีซิลิกอนนี้ยังคงอยู่ในขั้นตอนของการวิจัย แต่หากพัฒนาได้สำเร็จในระดับอุตสาหกรรม จะส่งผลให้จีนสามารถลดการพึ่งพาเทคโนโลยีการผลิตชิปขั้นสูงจากสหรัฐฯ และสร้างความได้เปรียบด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ นอกเหนือจากนี้ยังอาจเปลี่ยนแนวทางในการพัฒนาเทคโนโลยีชิปยุคถัดไปอีกด้วย
